반도체와 함께! Semiconductor

교수님께서는 CAE와 six sigma에 대하여 조사를 하라고 하셨지만 이에 더하여 TRIZ에 대한 조사도 해보았습니다.CAE : [ computer aided engineering ] 설계의 전 단계로서 대상의 해석이나 예측을 컴퓨터를 사용하여 수행하는 것을 말한다. 제품기능의 모의실험 해석을 수행함으로써 시작품의 제작을 반복하는 수고를 줄일 수 있다. 설계에서 제도까지를 지원하는 CAD/CAM을 포함하는 것도 있다. 안전측면에서 컴퓨터를 사용한 교육 시스템에서 퍼스널 컴퓨터를 사용한 멀티 미디어에 의해 각 개인에 적응하는 교육을 실시할 수 있다. 이제부터의 안전교육에도 활용하는 것이 요망된다.출처 : [네이버 지식백과] CAE [computer aided engineering] (산업안전대사전, 20..

Gap filling( 사이 채우기) 기판 위에 형성된 금속라인 위 그리고 submicron-wide gap을 가지는 금속라인들 간에 층간절연막(inter-layer dielectric: ILD)을 형성하는 것은 중요하다. 집적도가 점점 증가함에 따라 다층 금속 배선 기술이 점점 발달. SiO2는 다층금속의 ILD 유전체로 사용되며 내재적인 문제는 첫 번째 금속층 위에 올라가는 ILD는 다음 금속층을 위해서 충분히 평탄화 되어야 한다. 점점 소자의 밀도가 높아감에 따라 다층금속 기술에서 주위의 금속간 간격이 submicorn ranger 가 되는 상황에서 ILD는 주위 금속간의 갭을 완전히 채워야 하는 문제가 있다. ILD 증착 공정에 대한 선택은 결국 갭필링 능력(gap filling)과 평탄화(pla..

1. CVD 개요 1.1. CVD(Chemical Vapor Deposition; 화학 기상 증착)공정 :외부와 차단된 챔버 안에 기판을 넣고 증기 상태의 가스를 공급하여 열, 플라즈마, 빛(UV or LASER), 또는 임의의 에너지에 의하여 분해를 일으켜 기판의 성질을 변화시키지 않고 고체 막을 증착하는 박막을 형성하는 대표적인 방법이다. 1.2. CVD 막의 형성 단계CVD장비의 Reaction 방식을 두 가지로 나누어보면 다음과 같다.① Homogeneous reaction(동종반응) : 반응기에 주입된 기체가 기판뿐만 아니라 기판 위 공간에서도 반응이 일어나며 박막에 pin hole, particle 및 haze 등의 결함을 유발하며 Supersaturation(입력분압/평형분압)이 클수록, 온..

3.4 BJT 구조와 제조공정 MOSFET의 아이디어는 1930년대에 나왔지만 반도체 표면을 깨끗하게 처 리하는 기술이 없었기 때문에 표면에서 동작하는 MOSFET을 제작할 수가 없었 다. 이러한 이유로 BJT가 MOSFET보다 세상에 먼저 나왔는데, 간단하게 BJT의 구조와 공정을 살펴보자. BJT는 소자의 동작에 아주 중요한 베이스가 기판 내부에 있기 때문에 그림 3.3, 3.4과 같이 구조와 공정이 복잡하다. 먼저 P형 실리콘 기판 위에 산화막을 형성하고(그림 3.3(a)), 1번 buried-layer 마스크를 사용하여 buried layer 혹은 subcollector를 정의한다. 산화막은 선택적 확산을 위한 장벽(barrier)으로 사용되는 아주 중요한 물질로서 마스크 작업 전에 꼭 길러 져야..

실리콘 원소를 함유한 모래에서부터 IC까지의 제조공정은 다음과 같 다. 먼저 모래로부터 고순도 다결정 실리콘을 제조하며, 다결정 실리콘은 결 정 성장을 통해 직경 12 인치, 두께는 약 400 μm인 웨이퍼를 만든다. 다음으 로, BJT 및 MOSFET 등의 반도체 소자를 포함한 IC를 제조하는 공정을 거쳐, 마지막으로 패키지 및 검사과정을 마치게 되면 IC가 완성된다. (1) 고순도 폴리실리콘 제조과정 IC를 만들 수 있는 실리콘은 PPB(part per billion) 이하의 불순물이 포함된 아주 고순도이어야 하기 때문에 복잡한 추출과정을 거치게 된다. 모래 에서 다결정 실리콘을 추출하고, 다결정 실리콘으로부터 단결정 성장의 두 단 계가 필요하다. 먼저 산화 실리콘인 모래에서부터 다결정 실리콘을 추출..

3.1 왜 실리콘인가? IC 구조와 제조공정을 이해하기 위해서는 현재 생산되고 있는 IC의 대 부분이 왜 실리콘 기판을 사용하여 제작되는지를 알 필요가 있다. 실리콘 재 료가 IC 시장을 지배하는 데에는 다음과 같은 여러 가지 이유들이 있다. 가장 중요한 이유는 우수한 실리콘 산화막(SiO2)이 존재한다는 점이 다. 실리콘을 산화성 가스 중에서 가열하면 산화되어 산화실리콘, 즉 산화막 이 된다. 이것은 석영이라는 아주 안정한 절연물으로 다른 반도체에는 존재하 지 않는 행운인 것이다. 이 실리콘 산화막은 반도체 소자 및 공정에서 아주 유용하게 사용되는 재료이다. 즉, 실리콘 산화물은 우수한 절연막으로서 소자 를 전기적으로 격리할 때 사용될 뿐만 아니라, IC 제작공정에 필요한 불순물 의 선택 확산을 위한 ..

3중 구조 노사협의회 역할분담 운영- 노사간 의사소통과 합의를 시스템화 - □ “하이닉스반도체의 화려한 부활” 2001년에만 5조원 이상의 적자를 기록해 사실상 회생 불능 판정이 내려질 만큼 부실기업의 대명사처럼 불리던 하이닉스반도체가 2004년 2조원의 흑자를 기록하며 2005년 7월12일 워크아웃을 조기 졸업하였다. 당초 2006년 12월31일까지 계획된 채권금융기관 공동관리를 1년 반이나 앞당겨 정상화 된 것이다. 1999년 현대전자와 LG반도체가 합쳐져 만들어진 이 회사는 설립 초기부터 합병에 따른 위기를 겪었다. ‘먹고, 먹힌다’는 출범당시 LG반도체 측 노조와 사측의 갈등으로 사원간의 반목과 갈등은 물론, 통합에 대한 거부감과 미래의 불확실성으로 사원들의 사기는 떨어지고 생산성은 하락되었다. ..

웨어러블 디스플레이용 고성능 투명 반도체 기술 개발- 기존 반도체 제작 공정 그대로 적용 가능하여 제작상의 효율성 증대 - 한국연구재단은 박상희, 이건재 교수(KAIST) 연구팀이 레이저 박리 기술을 활용해 기존의 딱딱한 유리 기판에 제작된 투명한 고성능 전자소자를 유연기판으로 전사*하여 피부에 부착 가능한 고성능 유연 디스플레이 구동회로를 구현하는데 성공하였다고 밝혔다. * 전사 : 어떤 기판에서 제작된 패턴이나 구조물을 손상 없이 떼어내어 다른 기판으로 옮기는 방법. □ 사물인터넷(IoT)* 시대가 본격적으로 도래함에 따라 정보의 상호교환 매체인 웨어러블(Wearable) 스마트 디바이스의 중요도가 높아지고 있다. 특히 가상·증강현실 분야와 관련하여 피부 부착형 웨어러블 기기 적용이 가능한 차세대 투..

LED(발광 다이오드)는 전류를 직접 빛으로 변경하여 발광하는 반도체 소자입니다. LED의 특징은 부드러운 적색, 녹색과 황생 등의 단색광을 내는 것이며 반도체로 만들어진 것으로 수명이 반영구적입니다. 전기를 빛으로 변경하는 것에는 여러 가지가 있으나, 일반적인 전구도 이에 해당합니다. 전구에 전류를 흐르게 하면 빛이 나고, 이 때에 전류는 전구의 필라멘트를 가열하는 역할을 합니다. 이와 같이 전구는 전기 에너지를 일단 열로 변경한 뒤 빛 에너지로 변경합니다. LED는 전구와는 달리 전기 에너지를 반도체 안에서 바로 빛으로 변환 할 수가 있습니다. 이러한 이유로 가열하는 과정이 없기 때문에 에너지를 효율적으로 사용할 수 있습니다. LED의 구조는 일반적인 다이오드와 유사한 PN반도체를 접합한 구조로 되어..

4비트 크기 비교기 설계하기 임의의 두 4비트 입력을 비교하여 결과를 출력하는 크기 비교기를 설계하시오. input [3:0] A, [3:0] B, output L(A > B 표현), E(A = B 표현), S(A < B 표현) 두 입력의 크기를 비교하는 방법은 가장 큰 자리수부터 같은지를 검사하는 것이다. Table을 통해 정리할 수도 있고, 아래와 같은 방법을 사용할 수도 있다. 크기 비교기는 입력되는 두 수 A, B의 크기를 비교하여 어느 수가 큰지(또는 같은지)를 출력으로 나타내주는 조합회로이다. 만일 입력되는 두 수 A, B가 각각 n비트로 구성되었다면 적어도 이 회로의 입력 수는 2n개가 되며, 따라서 이 회로를 설계하기 위해서는 22n가지의 조합을 갖는 진리표를 작성하고 이로부터 간소화된 논..