반도체와 함께! Semiconductor

교수님께서는 CAE와 six sigma에 대하여 조사를 하라고 하셨지만 이에 더하여 TRIZ에 대한 조사도 해보았습니다.CAE : [ computer aided engineering ] 설계의 전 단계로서 대상의 해석이나 예측을 컴퓨터를 사용하여 수행하는 것을 말한다. 제품기능의 모의실험 해석을 수행함으로써 시작품의 제작을 반복하는 수고를 줄일 수 있다. 설계에서 제도까지를 지원하는 CAD/CAM을 포함하는 것도 있다. 안전측면에서 컴퓨터를 사용한 교육 시스템에서 퍼스널 컴퓨터를 사용한 멀티 미디어에 의해 각 개인에 적응하는 교육을 실시할 수 있다. 이제부터의 안전교육에도 활용하는 것이 요망된다.출처 : [네이버 지식백과] CAE [computer aided engineering] (산업안전대사전, 20..

Gap filling( 사이 채우기) 기판 위에 형성된 금속라인 위 그리고 submicron-wide gap을 가지는 금속라인들 간에 층간절연막(inter-layer dielectric: ILD)을 형성하는 것은 중요하다. 집적도가 점점 증가함에 따라 다층 금속 배선 기술이 점점 발달. SiO2는 다층금속의 ILD 유전체로 사용되며 내재적인 문제는 첫 번째 금속층 위에 올라가는 ILD는 다음 금속층을 위해서 충분히 평탄화 되어야 한다. 점점 소자의 밀도가 높아감에 따라 다층금속 기술에서 주위의 금속간 간격이 submicorn ranger 가 되는 상황에서 ILD는 주위 금속간의 갭을 완전히 채워야 하는 문제가 있다. ILD 증착 공정에 대한 선택은 결국 갭필링 능력(gap filling)과 평탄화(pla..

1. CVD 개요 1.1. CVD(Chemical Vapor Deposition; 화학 기상 증착)공정 :외부와 차단된 챔버 안에 기판을 넣고 증기 상태의 가스를 공급하여 열, 플라즈마, 빛(UV or LASER), 또는 임의의 에너지에 의하여 분해를 일으켜 기판의 성질을 변화시키지 않고 고체 막을 증착하는 박막을 형성하는 대표적인 방법이다. 1.2. CVD 막의 형성 단계CVD장비의 Reaction 방식을 두 가지로 나누어보면 다음과 같다.① Homogeneous reaction(동종반응) : 반응기에 주입된 기체가 기판뿐만 아니라 기판 위 공간에서도 반응이 일어나며 박막에 pin hole, particle 및 haze 등의 결함을 유발하며 Supersaturation(입력분압/평형분압)이 클수록, 온..