반도체와 함께! Semiconductor

1. CVD 개요 1.1. CVD(Chemical Vapor Deposition; 화학 기상 증착)공정 :외부와 차단된 챔버 안에 기판을 넣고 증기 상태의 가스를 공급하여 열, 플라즈마, 빛(UV or LASER), 또는 임의의 에너지에 의하여 분해를 일으켜 기판의 성질을 변화시키지 않고 고체 막을 증착하는 박막을 형성하는 대표적인 방법이다. 1.2. CVD 막의 형성 단계CVD장비의 Reaction 방식을 두 가지로 나누어보면 다음과 같다.① Homogeneous reaction(동종반응) : 반응기에 주입된 기체가 기판뿐만 아니라 기판 위 공간에서도 반응이 일어나며 박막에 pin hole, particle 및 haze 등의 결함을 유발하며 Supersaturation(입력분압/평형분압)이 클수록, 온..